新谷 寛 | (株)日立製作所研究開発グループ機械イノベーションセンタ
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概要
論文 | ランダム
- メモリ用強誘電体材料の構造と誘電特性
- A143 分子動力学シミュレーションにおけるIPS法とカットオフ法による動的性質の比較(マイクロ・ナノスケール4)
- 4a-SD-3 TARNに於けるSchottky Signal の観測
- A134 液晶を模擬した異方的粒子の分子動力学シミュレーション : 微小空隙に閉じ込めた場合(マイクロ・ナノスケール3)
- 23pYQ-2 強誘電体SrBi_2(Ta_Nb_x)_20_9の結晶構造と強誘電性