Yogi Mamoru | ¹Department of Physics and Earth Sciences, Faculty of Science, University of the Ryukyus, Nishihara, Okinawa 903-0213, Japan

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概要

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• ¹Department of Physics and Earth Sciences, Faculty of Science, University of the Ryukyus, Nishihara, Okinawa 903-0213, Japanの論文著者

論文 | ランダム

• 500V3AワンチップインバータIC用横型IGBTの特性向上
• SIPOS膜を挟んだSOI基板を用いた1200V素子の電気特性
• 横型SOI高速ダイオードの逆回復特性
• SIPOS膜を用いた新構造高耐圧SOI素子
• SOIマルチ・チャンネルIGBTの電気特性

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