八木 高伸 | イービーエム株式会社
スポンサーリンク
概要
論文 | ランダム
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 5-year interval change in voiding function of orthotopic ileal neobladder