Ajiro Yoshitami | ¹Department of Chemistry, Graduate School of Science, Kyoto University, Kyoto 606-8502

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概要

• 同名の論文著者
• ¹Department of Chemistry, Graduate School of Science, Kyoto University, Kyoto 606-8502の論文著者

論文 | ランダム

• HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
• 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
• 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
• SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV

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