椛澤 均 | （株）日本テクノ
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概要
論文 | ランダム
- オゾン酸化によるCVD-SiO_2膜の高密度化
- SR光を用いたX線反射率測定によるSiO2膜解析 (特集 マイクロ・ナノテクノロジー適用例とその評価・解析技術)
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Si(110)面を用いた低雑音バランスドCMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)