Van Hung | ¹Department of Materials Science and Engineering, Center for Advanced Plasma Surface Technology, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Korea

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概要

• 同名の論文著者
• ¹Department of Materials Science and Engineering, Center for Advanced Plasma Surface Technology, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, Koreaの論文著者

論文 | ランダム

• 2,3次元効果を取り入れたI2LデバイスのAC解析--縦方向トランジスタのdownward特性,縦方向トランジスタのupward特性と横方向トランジスタのinverse特性,及び横方向トランジスタのnormal特性
• 80年代の画像工学への期待
• I2L中のトランジスタのAC解析
• 総論 (化合物半導体の最近の進歩)
• 半導体IC,LSIとその基礎-3-(講座)

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