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八木 喜徳郎 | Tokyo Univ. For., Univ. of Tokyo
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30a-ZT-5 Si熱酸化膜表面へのDOP吸着挙動
28a-M-3 低フルーエンスパルスレーザー照射による熱酸化Si基板上での堆積Si粒子の凝集II
急速熱酸化技術による極薄N_2O酸窒化膜の形成
急速熱酸化技術による極薄NO酸窒化膜の形成
酸素活性種を用いた極薄SiO_2膜の低温形成と過渡放電電流法による膜内電子トラップの解析
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