Saso Tetsuro | Department of Physics, Faculty of Sciences, Saitama University, Urawa 338–8570
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概要
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論文 | ランダム
- 反応性マグネトロンスパッタ法で作製したa-GeC : H薄膜の特性
- 導電率の温度係数が負となるa-SiC : H膜形成へのSiH4/CH4ガス流量比の影響
- プラズマCVD法 a-Si1-xCx : H膜の導電率のアニール特性
- プラズマCVD法により形成したa-SiC:H膜の基板温度依存性
- Effects of Antibiotic Substances on Germination of Seeds and Growth of Seedlings