ISHIKURA HISAYUKI | Department of hemistry, Faculty of Science, Unviesity of Tokyo
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概要
論文 | ランダム
- 26a-YR-7 高指数Si表面上のAu吸着誘起ファセッティングのSPA-LEED法による研究
- 31a-PS-36 双探計STMの開発
- 7a-PS-17 Si(001)表面上のAu吸着のSTMその場観察
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