Imai Akira | Semiconductor & Integrated Circuits Division, Semiconductor Development Center, Hitachi Ltd.
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概要
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論文 | ランダム
- C-2-76 900MHz帯パワーアンプ向けオンチップトランスの特性比較(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-25 Depletion-layer-Extended Transistor(DET)適用40.8dBm IIP_3, 5GHz送受信切替CMOSスイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- 耐電力21.5dBm・5GHz送受信切替CMOSスイッチ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-2-33 CMOSプロセスによるスパイラルインダクタの特性
- 「喜按虚証」「拒按実証」を検証する(その1)喜按虚証,拒按実証と気の関係 (新連載 仮免鍼灸臨床からの脱皮)