Shimada Ken-ichi | Research & Development Group, Center for Technology Innovation — Information and Telecommunications, Hitachi, Ltd., Yokohama 244-0817, Japan.
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概要
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- Research & Development Group, Center for Technology Innovation — Information and Telecommunications, Hitachi, Ltd., Yokohama 244-0817, Japan.の論文著者
論文 | ランダム
- 23pPSA-3 Effect of Hydrofluoric Acid Treatment on Energy Separations of Hole Subbands in Super Highly-Doped Si(111)/Indium Measured by Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy (ARPES)
- 21pTG-6 ホールドープした単層カーボンナノチューブ吸収スペクトルのブロードニング(21pTG ナノチューブ2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aTL-12 多重バンド縮退系における電子正孔液滴からの発光スペクトル(24aTL 非線形光学・高密度励起,領域5(光物性))
- 24aTL-9 一軸性圧力下におけるSiの励起子及び電子正孔液滴の発光観測(24aTL 非線形光学・高密度励起,領域5(光物性))
- 24aTL-8 一軸性圧力下におけるSi高密度電子正孔系のテラヘルツ分光(24aTL 非線形光学・高密度励起,領域5(光物性))