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Lee Bo-Young | LG Siltron Inc., 283 Imsoo-dong, Kumi, Kyungbuk 730-724, Korea
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論文 | ランダム
29a-RC-5 急冷しにSi中のドナー型欠陥の回復
115 変動荷重を受ける TiNi 形状記憶合金のサブループ変形特性
29a-RC-1 Si中の酸素ドナーの初期形成過程
3a-M-6 Si中の急冷欠陥の回復(III)
3a-M-5 Si中の酸素ドナー(II)-熱処理温度効果
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