HASHIMOTO Michie | Toshiba Corporation, 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki, Kanagawa 212–8582, Japan
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概要
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- Toshiba Corporation, 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki, Kanagawa 212–8582, Japanの論文著者
論文 | ランダム
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- 26aZB-5 グラファイト表面におけるπbandフェルミ面の異常 : 高分解能ARPES(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pPSB-16 Ni(111)表面における炭素のボンド形成とグラファイト化(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 25pPSB-48 数層グラファイトの構造と電子状態(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYC-1 グラファイト上の非局在型一重項ビラジカルPh_2-IDPL薄膜のSTM観察(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))