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橋本 悦 | 日本電信電話株式会社デバイスイノベーションセンタ
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論文 | ランダム
真空蒸着法によるGaSbxN1-x薄膜の作成
MIS構造Al-Al_2O_3-GaSのV-I特性
RFスパッタリングによるGa_2S_薄膜の基礎特性
RFスパッタリングによるSiC薄膜の電気的性質
歯周包帯剤が臍帯静脈内皮由来細胞による管腔様構造の形成に及ぼす影響
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