北川 良彦 | 株式会社神戸製鋼所溶接事業部門開発部
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概要
論文 | ランダム
- 29p-N-5 IBAD法による(Ti, AI)N薄膜の特性
- Mechanism of Nonalloyed Al Ohmic Contacts to n-Type ZnO : Al Epitaxial Layer
- Thermally Stable and Low Resistance Ru Ohmic Contacts to n-ZnO : Semiconductors
- Low Resistance and Thermally Stable Pt/W/Au Ohmic Contacts to P-Type GaN
- High Quality Nonalloyed Pt Ohmic Contacts to P-Type GaN Using Various Surface Treatment