Goto Hiromasa | Graduate School of Pure and Applied Sciences, Institute of Materials Science, University of Tsukuba
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概要
論文 | ランダム
- UHV in-situとC_s-corrected HRTEMによる極薄Si酸化膜上でのGeナノドットの核形成・成長,および微細構造の評価(結晶評価技術の新展開)
- 21pTG-5 Si(111)表面上に形成されたGeナノドットの表面構造の評価(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 電源開発 松浦火力発電所
- 19aXC-10 極薄Si酸化膜上でのGeナノドットの核形成・成長に関する研究(X線・粒子線(電子線),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXC-8 収差補正STEM/TEMによる半導体ナノ構造体の研究 : 量子ドット・クラスター・単原子(シンポジウム 最新電子顕微鏡法を使った物性研究のいぶき,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
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