HARTMANN Jens | Institute of Applied Geoscience, Darmstadt University of Technology

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• Institute of Applied Geoscience, Darmstadt University of Technologyの論文著者

論文 | ランダム

• 25pTG-9 PbBi共吸着Ge(111)表面の原子構造II(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25aTH-2 高分解能角度分解光電子分光によるPb/Ge(110)表面における電子状態の観測(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aHG-7 トポロジカル絶縁体候補物質Pb系三元カルコゲナイドの単結晶作製と輸送特性(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pEE-7 PbBi2212およびPbBi2201固有接合におけるトンネル分光(26pEE 銅酸化物2(スペクトロスコピー・輸送特性・置換効果),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26aED-13 ミュオンナイトシフトから見た酸素ドープ(Bi,Pb)2201の擬ギャップ状態(26aED 銅酸化物1(理論,磁気共鳴・中性子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))

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