Onishi Yasuhiko | Next Gen. Device Development Center, Electronic Device Laboratory, Corporate R&D Headquarters, Fuji Electric Co., Ltd., Hino, Tokyo 191-8502, Japan.Department of Mathematics and System Development, Interdisciplinary Graduate School of Science and Tech

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概要

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• Next Gen. Device Development Center, Electronic Device Laboratory, Corporate R&D Headquarters, Fuji Electric Co., Ltd., Hino, Tokyo 191-8502, Japan.Department of Mathematics and System Development, Interdisciplinary Graduate School of Science and Techの論文著者

論文 | ランダム

• 25aYH-5 Ge(001)表面における局所ホール注入によるGeダイマーの振動励起(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pRD-5 Au/Ge(001)表面の電子状態II(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-51 Au/Ge(001)表面に形成される1次元構造のSTM観察(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-44 Ge(001)表面擬1次元系に埋め込まれた不純物IV族元素の散乱ポテンシャル(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-43 Cu(001)面上の窒素吸着ドメイン間に形成されるCu細線の構造モデル(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

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