HAMANO Y. | Department of Earth and Planetary Physics, Univeristy of Tokyo

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• Department of Earth and Planetary Physics, Univeristy of Tokyoの論文著者

論文 | ランダム

• GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価 (電子デバイス)
• 促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製 (電子部品・材料)
• GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価 (電子部品・材料)

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