Nakanishi Koji | The SR center, Ritsumeikan University, Japan

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概要

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• The SR center, Ritsumeikan University, Japanの論文著者

論文 | ランダム

• 22pGV-6 SiC上グラフェンの光電子分光(22pGV 領域7,領域4,領域6,領域9合同シンポジウム:グラフェンの生成・評価と物性-最前線と展望-,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGV-3 SiCナノ表面上のエピタキシャルグラフェンの形成と評価(22pGV 領域7,領域4,領域6,領域9合同シンポジウム:グラフェンの生成・評価と物性-最前線と展望-,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGP-7 SiC上グラフェンの結晶学的特徴(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGP-5 Substrate effect on the edge states of epitaxial graphenen grown on 4H-SiC(0001) studied by STM/STS
• 21pGP-4 SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))

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