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西川 喜代孝 | 同志社大・医生命
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イオンバックスキャッタ法による表面分析-1-
イオンバックスキャッタ法による表面分析-3-
半導体/金属・接合界面の構造と形成過程--主としてSi-金属系について (金属と非金属の接合--その接合機構を中心として)
弱い強磁性YbFe4Sb12単結晶のYb充填率効果と物性
L.E.Backscattered Ion(Backscattering法) (状態分析のための実験技術(特集))
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