浅見 武史 | 日本光学工業 (株) 研究所

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論文 | ランダム

• パワーデバイス用SiCのエピタキシャル成長技術の進展(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• プラズマ酸化法を用いた高品質シリコン酸化膜の形成
• リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
• SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
• リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用

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