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南 慶典 | 大鵬薬品工業株式会社製薬センター代謝分析研究所
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論文 | ランダム
窒化物ワイドギャップ半導体結晶成長 (特集論文1 窒化物ワイドギャップ半導体電子デバイス)
光反射法を用いた窒化ガリウムMOVPE成長のその場観察
GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性
表面光吸収法を用いたステップフリー表面・界面の形成
STMリソグラフィーによるナノスケールGaAs選択成長
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