Enomoto Heiji | Deparment of Environmental Science and Technology, Graduate School of Environmental Studies, Tohoku University
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概要
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論文 | ランダム
- 7a-PS-8 飛行時間型イオン散乱法によるSi(001)上でのSi固相成長の観察
- Si(001)におけるGeデルタドープ層の挙動 -TOF-LEISによる観察-
- 飛行時間型イオン散乱法によるSi(001)上でのSi固相成長の観察
- 28p-PSB-15 低速イオン散乱におけるセルフブロッキング効果の検討
- 29p-P-7 非同軸型低速イオン散乱による化合物表面の解析