津田 信幸 | The Second Department of Internal Medicine Kansai, Medical University

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• The Second Department of Internal Medicine Kansai, Medical Universityの論文著者

論文 | ランダム

• 26aWZ-11 シリコン10原子空孔の大規模第一原理計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 26aWZ-10 Nbドープ二酸化チタンのスピン分極を考慮したGGA+U計算(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 26aWZ-8 Car-Parrinello分子動力学法によるシリコン結晶内欠陥の拡散現象の再評価(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 26aWZ-7 クラスタービームによるアニーリング効果の検証(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 26aWZ-6 3次元アトムプローブと陽電子消滅法によるイオン注入不純物の拡散挙動解析(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))

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