Tang Tingao | Department of Microelectronics, ASIC & System State Key Lab, Fudan University, Shanghai, China
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概要
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論文 | ランダム
- 2p-G-6 すれすれ入射HeH^+によるSnTe(001)表面からのコンボイ電子
- 4p-L-4 Si(001)単結晶表面へ小角入射した軽イオンによる二次電子放出
- 3p-X-4 36MeV ^3He^+の薄膜透過に伴うコンボイ電子
- 科学解説 イオン注入によるダイヤモンドの電導性制御
- 30a-PS-36 酸素吸着MoS_2表面の陽電子消滅励起オージェ電子分光