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乾 芳彰 | 日立製作所日立研究所第2部
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論文 | ランダム
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31pYH-2 第一原理計算による 4f 希土類金属および 3d 遷移金属ドープ IV 族 (Si, Ge, Diamond) 強磁性半導体の物質設計
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