夏目 徹 | 産総研BIRC

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概要

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論文 | ランダム

• 28p-S-6 高圧下におけるカルコパイライト半導体の内部座標
• 28p-S-5 カルコパイライト半導体AgGaX_2(X=Te, S)の高圧相
• AgGaX_2(X=S, Se, Te)の正方晶歪みと内部歪みの圧力効果
• 27a-ZE-5 カルコパイライト半導体におけるuパラメータの圧力依存性
• 保田与重郎における「浪曼主義」の形成--「逃避」から「反抗」への転回

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