新井 一史 | Department of Surgery, Fujita-Gakuen Health University, School of Medicine
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概要
論文 | ランダム
- 先端GaN-HEMTデバイス技術 (特集 研究開発最前線)
- GaN系パワー素子を開発,電気特性を高めコストを低減
- モバイルWiMAX基地局向け高効率GaN-HEMT増幅器 (特集 モバイルWiMAX)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高耐圧 E-mode AlGaN/GaN HEMT 実現のための新規リセス構造