Tomikawa Yoshiro | Yamagata University, Faculty of Engineering, Yonezawa, Yamagata 992–8510, Japan
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概要
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- Yamagata University, Faculty of Engineering, Yonezawa, Yamagata 992–8510, Japanの論文著者
論文 | ランダム
- 27aWB-10 2水素化Si(100)表面からの水素脱離ダイナミックス(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 13aXF-4 被覆度に依存した水素熱脱離ダイナミックス(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
- 27pPSA-41 水素終端Si(100)表面における気相窒素原子誘起の水素脱離反応(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 27pPSA-40 2水素化シリコン表面からの熱脱離ダイナミクス(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 28pPSB-41 酸素吸着 Si(100) 表面での気相水素原子による吸着水素脱離反応