SUGAHARA TAKAO | 2 nd Department of Bacteriology, National Institute of Health
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概要
論文 | ランダム
- RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 : 無極性InNの検討(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- KOH水溶液を用いたInNの極性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- KOH水溶液を用いたInNの極性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InNの光学的特性の結晶品質依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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