北原 彰 | 関西熱化学 (株) 研究所
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概要
論文 | ランダム
- 22-2 a-Si_3N_4膜をブロッキング層としたSAM型a-Si : H薄膜フォトダイオード
- 1)a-Si : H/a-SiC : Hヘテロ接合SAM型フォトダイオードの光電流増倍(〔情報入力研究会情報ディスプレイ研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- a-Si : H/a-SiC : Hヘテロ接合SAM型 : フォトダイオードの光電流増倍
- 2-1 低電圧駆動の高利得a-Si : H光センサ
- 1-9 a-Si : H, a-SiC : H埋め込みp-i-nフォトダイオードのセンサ特性