柴田 直剛 | 日本電信電話NTTアクセスサービスシステム研究所
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概要
論文 | ランダム
- 29p-ZL-20 InGaAs自己形成コラムナ量子ドットレーザの発振しきい値電流の温度特性
- 31a-P-1 MBE-低速成長による InAs島の形成と埋め込み成長
- 30p-ZL-11 InGaAs埋め込みによる量子ドット発光波長の温度変化の抑制
- 29p-ZL-20 InGaAs自己形成コラムナ量子ドットレーザの発振しきい値電流の温度特性
- 29p-ZH-8 近接積層InAs/GaAs量子ドットレーザの低しきい値CW発振