堀 智仁 | (独)労働安全衛生総合研究所 建設安全研究グループ
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概要
論文 | ランダム
- 24aPS-46 キャリア涸渇層形成過程における半導体表面素励起の移り変わり II
- Thickness Dependence of Carrier-Electron States in Doped Semiconductor Films
- 24pW-15 キャリア涸渇層形成過程における半導体表面素励起の移り変わり
- 28a-Q-7 ドープした化合物半導体の表面素励起に及ぼすキャリア涸渇層の効果
- 27a-YK-13 ドープした半導体薄膜におけるキャリア電子状態の膜厚依存性