Nojima Shunji | NTT Basic Research Laboratories, 3–1 Morinosato–Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243–0124, Japan
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概要
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- NTT Basic Research Laboratories, 3–1 Morinosato–Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243–0124, Japanの論文著者
論文 | ランダム
- 軟岩を支持層とする鋼管短杭の鉛直支持力
- 寒冷地におけるのり面安定工法 (のり面安定工法)
- si基板上へのGaAs膜の成長初期過程 (si基板上へのシングルドメインGaAs膜の成長機構)
- Si基板上へのGaP膜のMBE成長 (半導体デバイス特集-9-太陽電池-3-)
- カチオン界面活性剤とノニオン界面活性剤混合系の洗浄性 : 粒子汚れ除去・再汚染・油脂汚れ除去・殺菌・脱臭および安全性