井村 進也 | （株）日立製作所 機械研究所
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概要
論文 | ランダム
- 直列レプリカビット線技術を使用した40nm低電力SRAM (集積回路)
- 招待講演 回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現--非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発 (集積回路)
- 招待講演 SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm[2]セル低電圧コンフィギュラブルSRAM (集積回路)
- SRAM型FPGAにおける二重冗長回路実装手法の一検討 (ディペンダブルコンピューティング)
- SRAM型FPGAにおける二重冗長回路実装手法の一検討 (コンピュータシステム)