Niu Keishiro | Tokyo Institute of Technology Ookayama
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概要
論文 | ランダム
- 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高速MBE成長法による1-μm帯高積層InGaAs/GaAs量子ドットレーザの作製(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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- 帯状探索窓を採用した超高速動きベクトル検出アルゴリズムとこれを適用した低電力90nm-CMOS動きベクトル検出アレイ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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