松中 成浩 | 南市船尾575

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• タイトル無し
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• 30a-ZM-6 Si MOSFETにおける正孔反転層容量の定量的評価
• 28a-YF-8 反転層容量によるMOSFETの低電圧動作限界
• 28a-YF-7 サブ0.1μmMOS Tr短チャネル効果抑制のためのバンドギャップエンジニアリング(II) : 構造最適化

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