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千代谷 厚 | 東京女子医科大学第一内科学教室
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5a-G-5 シリコン中のリン拡散係数の異常性
3a-G-9 チャネリング法などによるSi中の拡散金の位置決定
解離拡散における空孔および格子間原子平衡の條件 : 格子欠陥
15a-G-11 Si p-n接合でのすべりおよび上昇運動による転位の発生
15a-G-9 SiP-N接合の格子欠陥と生成 : 再結合中心
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