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安藤 努 | (独) 物質・材料研究機構強磁場研究センター
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論文 | ランダム
28p-L-7 Erをプローブに用いたポーラスSi吸収端の測定
28p-L-1 ポーラスSiの発光特性に及ぼす長時間エージングの効果
28a-L-10 ポーラスSiの発光スペクトルの形状とサイズ分布
28a-L-6 熱酸化したポーラスSiの発光特性
26p-ZF-2 MBE法によるポーラスSi基板上へのGaAs針状結晶成長
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