Ihara Ryohei | Division of Material and Manufacturing Science, Graduate school of Engineering, Osaka University
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概要
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- Division of Material and Manufacturing Science, Graduate school of Engineering, Osaka Universityの論文著者
論文 | ランダム
- 完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造
- 招待論文 : 「ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性」
- ひずみSOI MOSFETの素子構造と電気的特性
- ひずみの導入により高移動度化した新構造SOI-MOSFET
- シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子