平井 達也 | 北大院環境:北大創成
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概要
論文 | ランダム
- C-10-10 Fluidic Assemblyを用いたSi基板上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの直接集積(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 異種基板上への半導体デバイスの直接集積(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
- 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)