柴田 俊輔 | Department of Surgery, Tottori Red Cross Hospital
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概要
論文 | ランダム
- 3J09 Ni-Zn フェライト薄膜を成膜した FET 型トランジスタのメモリ動作への実現
- 3J08 強磁性体 /FET トランジスタ構造の試作とメモリーデバイスとしての可能性
- 3J07 強磁性体ゲート薄膜を有する MOS トランジスタの I-V 特性
- 3J02 バッファー層の最適化による高角形比 (Mr/Ms) エピタキシャル (Ni, Zn)Fe_2O_4 薄膜の作製
- 3D04 セラミックス薄膜の高温格子変化における基板及びバッファー層の影響