Nawata Masahito | Department of Electrical and Electronic Engineering, Meijo University, Tempaku–ku, Nagoya 468, Japan
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概要
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- Department of Electrical and Electronic Engineering, Meijo University, Tempaku–ku, Nagoya 468, Japanの論文著者
論文 | ランダム
- 溶質供給CZ法によるGa-Sb溶液からのGaSbの引き上げ
- 溶質供給チョクラルスキー法によるGaInSb混晶の多段引き上げ
- GaInSb混晶の均一組成バルク成長
- 29aA9 溶質供給下でのGaInSb混晶バルク成長(融液成長IV)
- 溶質供給チョクラルスキー法によるGaInSb均一組成バルク混晶の成長