Nishitani Hirokazu | Nara Institute of Science and Technology, Japan
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概要
論文 | ランダム
- 21aYK-8 第一原理計算によるanti-bixbyite構造をベースにした強磁性物質の理論設計(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- CdS中のドメイン消滅時の発光 : 半導体 (acoustic instability)
- GaAsダイオードレーザ : 半導体シンポジウム : GaAsを利用した素子とその周辺
- GaAsレーザーダイオードの反射率と出力 : 量子エレクトロニクス
- GaAsレーザーダイオードの統計的観察 : 量子エレクトロニクス