Kobayashi Kenji | Department of Applied Physics, The University of Tokyo, 7–3–1 Hongo, Bunkyo–ku, Tokyo 113
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概要
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- Department of Applied Physics, The University of Tokyo, 7–3–1 Hongo, Bunkyo–ku, Tokyo 113の論文著者
論文 | ランダム
- Dispersion, High-Frequency and Power Characteristics of AlN/GaN Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistors with in-situ MOCVD Deposited Si3N4
- Chapter 7 「エネルギーの情報化」を実現するソーシャルエンジニアリングに関する一考察(社会制度,エネルギーの情報化〜ITによる電力マネジメント〜)
- Chapter 6 DCエコハウスにおけるエネルギーマネジメント(システム開発,エネルギーの情報化〜ITによる電力マネジメント〜)
- Chapter 5 ホームネットワーク(OSGi,ECHONET)モデルに基づく家庭内エネルギーマネジメント(制御・通信プロトコル,エネルギーの情報化〜ITによる電力マネジメント〜)
- Chapter 4 オンデマンド型家庭内電力ネットワークのためのQoEn(エネルギー品質)を考慮した経路制御(制御・通信プロトコル,エネルギーの情報化〜ITによる電力マネジメント〜)