村上 惇 | Department Chemical Engineering, University of Hyogo
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概要
論文 | ランダム
- 29pYG-7 絶縁膜界面ならびに電極界面の修飾によるピセンFETデバイスの特性変化(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-7 絶縁膜界面ならびに電極界面の修飾によるピセンFETデバイスの特性変化(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pTG-3 有機薄膜電界効果トランジスタのトラップ準位と動作特性の相関(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26pTG-4 有機FETの電極-活性層界面の電子状態評価(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRB-6 スピンコート膜とLB膜を利用した有機FETデバイスの動作特性と制御(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)