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熊代 幸伸 | 電子技術総合研究所材料科学部
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電子技術総合研究所材料科学部 | 論文
水素化シリコン系薄膜の成長初期過程-走査トンネル顕微鏡によるナノスケール観察-
分光エリプソメトリーおよび赤外分光によるSi薄膜表面のその場観察
第14回アモルファス半導体国際会議に出席して
材料産業技術戦略ネットワーク WG 報告
MBE法によるYBa2Cu3O7-δ薄膜の成長制御 (特集:高温超電導) -- (高温超電導材料の探索)
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