中島 長明 | NTTLSI研

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概要

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• NTTLSI研の論文著者

NTTLSI研 | 論文

• 28a-YW-12 GaAsMBE成長のSEMその場観察 : モノレイヤ深さの穴の熱処理による消滅
• 電子顕微鏡その場観察とSTMによるMBE成長表面の評価
• 金属on半導体 (走査トンネル顕微鏡(STM)) -- (材料科学への応用)
• 27p-R-9 走査電子顕微鏡によるMBE GaAs表面被覆率のその場測定
• 半導体結晶の融液成長

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