NASU S. | Central Res. Lab., Kanegafuchi Chemical Ind. Co., Ltd.

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論文 | ランダム

• ハフニウム酸化物への元素添加効果--第一原理計算による検討 (シリコン材料・デバイス)
• 金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調--第一原理計算による理論的検討 (シリコン材料・デバイス)
• 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析 (シリコン材料・デバイス)
• Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御 (シリコン材料・デバイス)
• Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果 (シリコン材料・デバイス)

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